MJE13003 یک ترانزیستور NPN BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) است که برای کاربردهای قدرت بالا طراحی شده است. این ترانزیستور به طور معمول در مدارهای سوئیچینگ و تقویتکنندههای قدرت استفاده میشود.
ویژگیها:
نوع ترانزیستور: BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی)
بهره (hfe): 4-40
تعداد پایهها: 3
محدوده دمای کاری: -65°C تا +150°C
ولتاژ کلکتور-امیتر: 400V
جریان کلکتور: 1.5A
پلاریته ترانزیستور: NPN
فرمت پایهها: TO-225
توان دیسی (PD @ Ta = 25°C): 1.4W
توان دیسی (PD @ Tc = 25°C): 40W
زمان صعود (tr): 0.5µs
زمان نزول (tf): 0.4µs
کاربردها:
مدارهای سوئیچینگ و تقویتکنندههای قدرت
مدارهای تقویتکننده صوتی و ویدئویی
دستگاههای تغذیه سوئیچینگ
مدارهای کنترل موتور و دستگاههای صنعتی
مدارهای محافظت و ایمنی
جمعبندی:
ترانزیستور MJE13003 به دلیل ویژگیهایی مانند ولتاژ بالا، جریان زیاد و توان بالا، انتخاب مناسبی برای مدارهایی است که به سوئیچینگ سریع و کنترل قدرت نیاز دارند. این ترانزیستور در کاربردهای صنعتی، صوتی و قدرت استفاده میشود و به دلیل توانایی کار در دمای بالا، میتواند در محیطهای دشوار نیز عملکرد مطلوبی داشته باشد.
توضیحات تکمیلی
نوع پکیج
DIP
نظرات (0)
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “MJE13003 TO-126” لغو پاسخ
A MMBT5401 SOT23 PNP Transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material usually with at least three terminals for
A BC817-40 SOT23 NPN Transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material usually with at least three terminals for
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.